SiC MOSFET 1700 В третьего поколения

Бренд AMG Power выпустил SiC MOSFET поколения Gen3 1700 В 750 мОм 5 А в корпусе TO-263-7 с управляющим напряжением -5/+15 В – AMG5N1700MT7.

Основные параметры AMG5N1700MT7:

• напряжение сток-исток: 1700 В
• ток (при 25°C): 5 A
• Rds(On): 750 мОм
• напряжение затвор-исток: -5/+15 В
• тип корпуса: TO-263-7
• суммарный заряд затвора: 11 нКл
• максимальная температура перехода: 150 °C
• выходная емкость: 12 пФ
• рассеиваемая мощность: 60 Вт